Introduction
世界正在步入高速、高頻的時代，對於晶片的需求條件也更加嚴格，也因此先進的應用上需要導入新的材料。如特斯拉了高速充電需求而需要SiC的晶片；5G通訊的天線也要仰賴GaN的材料特性才能滿足高頻、高溫的耐性。正因如此，化合物半導體的需求日漸蓬勃。為此，一個好的檢測能讓良率大大的提升。
Critical Issue
業界普遍認為表面的檢測已經足夠，對於表面上的殺手級的缺陷如微管(Micropipe)、推疊錯位(Stacking Fault)等等均能檢出。然而，實務上製程中卻還是有許多「看似」正常的晶片在進行後續磊晶及元件的處理後，卻造成不明原因的失效的狀況。而這個問題似乎潛藏在表面之下無法測量的深層中。
Result
原先認為均質的4H-SiC基板，在我們有深度資訊的量測下，發現在深層的時候，晶格結構漸漸轉換成3C，這是其他量測無法辨別的。同時，透過峰值分析，我們可以計算出晶片應力在三維結構中的詳細分佈。
Conclusion
三維、深層光譜分析提供一個良好的工具，來彌補現行通用檢測機台所看不見的深層缺陷及晶格狀態。是化合物半導體製程良率的最佳輔助指引。
